GD9FU1G8F3ALGI

GD9FU1G8F3ALGI - Mémoire flash NAND haute performance de 1 Gbit

Le GD9FU1G8F3ALGI de GigaDevice Semiconductor est un circuit intégré de mémoire flash NAND 1 Gbit haut de gamme, conçu pour les applications embarquées critiques. Grâce à sa technologie SLC (Single-Level Cell) avancée, ce composant mémoire offre une fiabilité exceptionnelle, des temps d'accès rapides et une endurance accrue pour les systèmes industriels, automobiles et de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

• Capacité mémoire de 1 Gbit : l’organisation en 128 Mo x 8 offre un espace de stockage suffisant pour le firmware, l’enregistrement des données et les configurations système.
• Technologie NAND SLC : Fiabilité et endurance supérieures aux alternatives MLC/TLC, idéale pour les applications à forte intensité d’écriture
• Interface ONFI : Interface standard de l’industrie assurant une large compatibilité avec les microcontrôleurs et les processeurs
• Performances rapides : un temps d’accès de 18 ns et un temps de cycle d’écriture de 20 ns permettent des opérations de données rapides.
• Large plage de tension de fonctionnement : la plage d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V permet de s’adapter à diverses architectures système.
• Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit des performances fiables même dans des environnements difficiles.
• Boîtier compact 63-VFBGA : format 9 x 11 mm optimisé pour les circuits imprimés haute densité.

Applications idéales

Cette mémoire flash NAND est parfaitement adaptée à l'avionique aérospatiale, aux calculateurs automobiles, aux contrôleurs industriels, aux dispositifs médicaux, aux infrastructures de télécommunications et à tout système embarqué nécessitant un stockage non volatil à longue durée de vie et haute fiabilité.

Spécifications techniques

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