IS25LP064A-JKLE-TR

Présentation du produit

L' IS25LP064A-JKLE-TR est une mémoire Flash série SPI 64 Mbit hautes performances d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc). Cette mémoire Flash NOR est dotée d'interfaces Quad I/O et QPI avancées, offrant des performances de lecture/écriture exceptionnelles jusqu'à une fréquence d'horloge de 133 MHz. Conçue pour les applications embarquées exigeantes, cette solution de mémoire offre un stockage non volatil fiable dans un boîtier CMS 8-WSON compact (6 x 5 mm).

Principales caractéristiques et avantages

• Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 133 MHz avec prise en charge des E/S quadruples SPI et QPI pour un transfert de données rapide
• Capacité généreuse : l’organisation de la mémoire de 64 Mbits (8 M x 8) offre un espace de stockage suffisant pour le firmware, le code et les données.
• Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 2,3 V à 3,6 V avec une plage de température étendue (-40 °C à 105 °C)
• Fiabilité de niveau industriel : idéale pour les applications automobiles, le contrôle industriel, les objets connectés et les systèmes embarqués critiques.
• Conception compacte : Boîtier 8-WSON compact avec pastille exposée pour des performances thermiques supérieures
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
• Conditionnement en bande et bobine : Prêt pour l'assemblage automatisé et la production en grande série

Applications typiques

Ce composant de mémoire Flash polyvalent est idéal pour :

• Stockage du micrologiciel du système embarqué
• Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
• Électronique automobile et infodivertissement
• Applications IoT et appareils intelligents
• Équipements et instruments médicaux
• Infrastructure de télécommunications
• Appareils électroniques grand public nécessitant un stockage de code fiable

Avantages techniques

La mémoire IS25LP064A-JKLE-TR exploite la technologie Flash NOR avancée pour offrir des performances d'accès aléatoire supérieures aux alternatives NAND. Avec un temps de cycle d'écriture de 800 µs et la prise en charge des modes SPI standard et E/S quadruple haute vitesse, ce dispositif mémoire offre la flexibilité nécessaire pour optimiser votre conception en termes de performances ou d'efficacité énergétique. Sa large plage de tension et sa spécification de température étendue la rendent adaptée aux environnements industriels difficiles.

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• IS25LP064A-JKLE-TR.pdf