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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25WJ128F-JBLE-TR

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Quantity Unit Price Total Price
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15+ €0,87 EUR €13,05 EUR
25+ €0,86 EUR €21,50 EUR
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Recycling Electronic Components

IS25WJ128F-JBLE-TR - Mémoire Flash NOR haute performance de 128 Mbit

La mémoire flash NOR IS25WJ128F-JBLE-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un dispositif haute performance de 128 Mbit conçu pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant un stockage de données fiable et non volatil. Cette solution de mémoire flash avancée est dotée d'une interface Quad SPI avec prise en charge QPI et DTR, offrant des performances de lecture/écriture exceptionnelles à une fréquence d'horloge de 166 MHz.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 4,8 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
  • Interface flexible : les modes SPI Quad I/O, QPI et DTR offrent des options de connectivité polyvalentes pour diverses architectures système.
  • Organisation optimale de la mémoire : configuration 16 Mo x 8 (capacité totale de 128 Mbits), idéale pour le stockage du firmware, du code de démarrage et l’enregistrement des données.
  • Fonctionnement à faible consommation : la plage de tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V réduit la consommation d’énergie dans les conceptions fonctionnant sur batterie et économes en énergie.
  • Plage de températures industrielles : Conçu pour fonctionner de -40 °C à 105 °C, idéal pour les applications automobiles, de contrôle industriel et en environnements difficiles.
  • Boîtier compact pour montage en surface : son format 8-SOIC (largeur de 5,30 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
  • Performances d'écriture rapides : des cycles d'écriture de mots de 50 µs et de pages de 2,4 ms permettent des mises à jour de données efficaces.

Applications idéales

Cette mémoire Flash NOR est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués nécessitant l'exécution de code sur site (XIP), notamment les objets connectés, l'électronique automobile, les contrôleurs industriels, les équipements médicaux, les équipements réseau et l'électronique grand public. Sa haute fiabilité, ses temps d'accès rapides et sa large plage de températures de fonctionnement en font un excellent choix pour les applications critiques.

Garantie de qualité et d'authenticité

Chez HQICKEY, nous fournissons exclusivement des composants ISSI authentiques, avec une traçabilité complète et un support tout au long de leur cycle de vie. Chaque unité IS25WJ128F-JBLE-TR est conditionnée en bande et bobine, garantissant une manipulation sûre et une compatibilité avec les systèmes d'assemblage automatisés.

Spécifications techniques

Ressources connexes

Explorez notre vaste sélection de composants de mémoire, incluant des solutions Flash, DRAM, SRAM et EEPROM, pour répondre aux besoins de vos systèmes embarqués. Consultez notre page d'accueil pour découvrir notre gamme complète de composants semi-conducteurs authentiques, bénéficiant d'un support tout au long de leur cycle de vie. Restez informé des dernières tendances, articles techniques et mises à jour produits grâce à notre blog Actualités et Technique .

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR (SLC)
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 16M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, QPI, DTR
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 50 µs, 2,4 ms
Temps d'accès 4,8 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 105°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,209", largeur 5,30 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOIC

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