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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16100H-6TLI-TR

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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €0,95 EUR €0,95 EUR
15+ €0,87 EUR €13,05 EUR
25+ €0,86 EUR €21,50 EUR
50+ €0,81 EUR €40,50 EUR
100+ €0,71 EUR €71,00 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

IS42S16100H-6TLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 16 Mbit

La puce IS42S16100H-6TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire DRAM synchrone haute performance de 16 Mbits conçue pour les systèmes embarqués, les applications industrielles et les tâches de calcul gourmandes en mémoire. Fiable, cette puce SDRAM offre des temps d'accès rapides et un fonctionnement stable sur une large plage de températures, ce qui la rend idéale pour les environnements exigeants.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité de mémoire de 16 Mbits - L'organisation 1M x 16 offre un espace de stockage suffisant pour les applications embarquées.
  • Fréquence d'horloge rapide de 166 MHz : assure un débit de données rapide avec un temps d'accès de 5,5 ns.
  • Plage de températures industrielles - Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
  • Fonctionnement à faible consommation (3,3 V) - Conception écoénergétique avec une tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V
  • Boîtier TSOP-50 à montage en surface - Boîtier TSOP II 50 broches compact pour circuits imprimés compacts
  • Conforme à la directive RoHS – Respectueux de l’environnement et conforme aux normes internationales

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est parfaitement adapté pour :

  • Systèmes informatiques embarqués et contrôleurs industriels
  • Équipements de réseau et appareils de télécommunications
  • Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
  • Instrumentation médicale et équipement de diagnostic
  • Instruments de test et de mesure
  • Systèmes d'acquisition de données

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 16 Mbits
Organisation de la mémoire 1M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,5 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 50-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 50-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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