ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS42S16100H-7TL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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IS42S16100H-7TL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 16 Mbit
La puce IS42S16100H-7TL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une DRAM synchrone 16 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications électroniques embarquées et industrielles exigeantes. Ce circuit intégré mémoire haut de gamme offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes à forte intensité de données nécessitant des solutions de mémoire rapides et fiables.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité de 16 Mbits : l'organisation de la mémoire 1M x 16 offre un équilibre optimal entre densité et performances.
- Fonctionnement à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C dans des environnements difficiles.
- Faible consommation d'énergie : une tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V optimise l'efficacité énergétique.
- Boîtier CMS : boîtier 50-TSOP II (largeur de 10,16 mm) pour circuits imprimés compacts
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.
Applications
Idéal pour les contrôleurs industriels, les systèmes embarqués, les équipements de télécommunications, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et l'électronique grand public nécessitant des solutions de mémoire volatile haute fiabilité.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 1 m x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 143 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,5 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 50-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 50-TSOP II |
| RoHS |

IS42S16100H-7TL-TR.pdf