IS43R16800E-5TL-TR

Le circuit intégré de mémoire SDRAM DDR 128 Mbit IS43R16800E-5TL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire volatile haute performance de 128 Mbit conçue pour les systèmes embarqués et les applications électroniques industrielles. Doté d'une architecture 8M x 16 et d'une interface parallèle, ce composant offre un stockage de données fiable et des temps d'accès rapides, même dans les environnements de production les plus exigeants.

Principales caractéristiques et avantages :

• Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 200 MHz et un temps d’accès de 700 ps garantissent un traitement rapide des données.
• Plage de fonctionnement robuste : Fonctionne de manière fiable dans une plage de températures allant de 0 °C à 70 °C.
• Boîtier standard de l'industrie : boîtier CMS 66-TSOP II pour une intégration facile sur circuit imprimé
• Large plage de compatibilité de tension : tension d'alimentation de 2,3 V à 2,7 V
• Prêt pour la production : Conforme à la directive RoHS pour une fabrication mondiale

Applications : Idéal pour les contrôleurs embarqués, les systèmes d'automatisation industrielle, les équipements de télécommunications, l'électronique automobile et autres applications nécessitant une mémoire DDR SDRAM fiable avec une longue durée de vie.

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Spécifications techniques complètes

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