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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R16800E-6TLI

Prix habituel €81.612,95
Prix habituel Prix promotionnel €81.612,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €81.612,95 EUR €81.612,95 EUR
15+ €75.083,91 EUR €1.126.258,65 EUR
25+ €73.451,66 EUR €1.836.291,50 EUR
50+ €69.371,01 EUR €3.468.550,50 EUR
100+ €61.209,71 EUR €6.120.971,00 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

IS43R16800E-6TLI - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance

Le circuit intégré de mémoire SDRAM DDR 128 Mbit IS43R16800E-6TLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un composant haut de gamme conçu pour les applications embarquées, industrielles et automobiles exigeantes. Ce dispositif de mémoire à montage en surface présente une architecture 8M x 16 et une fréquence d'horloge robuste de 166 MHz, garantissant des performances fiables sur une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C.

Conçu avec une interface parallèle et optimisé pour le traitement de données à haute vitesse, ce circuit intégré DDR SDRAM offre des temps d'accès exceptionnels de seulement 700 picosecondes et un temps de cycle d'écriture de 12 ns. Fonctionnant sous une tension d'alimentation de 2,3 V à 2,7 V, il allie efficacité énergétique et fiabilité de niveau industriel. Son boîtier 66-TSOP II garantit la compatibilité avec les circuits imprimés modernes et les processus d'assemblage automatisés.

Spécifications techniques

Principales caractéristiques et avantages

  • Fiabilité de niveau industriel : une plage de températures étendue (-40 °C à 85 °C) garantit un fonctionnement stable dans des environnements difficiles, notamment dans les secteurs de l’automobile, de l’aérospatiale et des systèmes de contrôle industriels.
  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 700 ps permettent un traitement rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
  • Économe en énergie : le fonctionnement à basse tension (2,3 V - 2,7 V) réduit la consommation d'énergie tout en maintenant les normes de performance.
  • Conforme à la directive RoHS : Conception respectueuse de l'environnement conforme aux normes réglementaires internationales relatives aux substances dangereuses.
  • Qualité ISSI éprouvée : Fabriqué par Integrated Silicon Solution Inc., un leader reconnu dans le domaine des solutions de semi-conducteurs pour mémoire, fort de plusieurs décennies d’excellence en ingénierie.

Applications idéales

  • Systèmes embarqués et conceptions à base de microcontrôleurs
  • Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
  • équipements d'automatisation industrielle et de contrôle des processus
  • Dispositifs médicaux nécessitant un support à long terme
  • Infrastructure de télécommunications
  • Systèmes aérospatiaux et de défense

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 8M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 700 ch
Tension - Alimentation 2,3 V ~ 2,7 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 66-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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