ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43R16800E-6TLI
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €81.612,95 EUR | €81.612,95 EUR |
| 15+ | €75.083,91 EUR | €1.126.258,65 EUR |
| 25+ | €73.451,66 EUR | €1.836.291,50 EUR |
| 50+ | €69.371,01 EUR | €3.468.550,50 EUR |
| 100+ | €61.209,71 EUR | €6.120.971,00 EUR |
| N+ | €12.241,94 EUR | Price Inquiry |
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IS43R16800E-6TLI - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance
Le circuit intégré de mémoire SDRAM DDR 128 Mbit IS43R16800E-6TLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un composant haut de gamme conçu pour les applications embarquées, industrielles et automobiles exigeantes. Ce dispositif de mémoire à montage en surface présente une architecture 8M x 16 et une fréquence d'horloge robuste de 166 MHz, garantissant des performances fiables sur une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C.
Conçu avec une interface parallèle et optimisé pour le traitement de données à haute vitesse, ce circuit intégré DDR SDRAM offre des temps d'accès exceptionnels de seulement 700 picosecondes et un temps de cycle d'écriture de 12 ns. Fonctionnant sous une tension d'alimentation de 2,3 V à 2,7 V, il allie efficacité énergétique et fiabilité de niveau industriel. Son boîtier 66-TSOP II garantit la compatibilité avec les circuits imprimés modernes et les processus d'assemblage automatisés.
Spécifications techniques
Principales caractéristiques et avantages
- Fiabilité de niveau industriel : une plage de températures étendue (-40 °C à 85 °C) garantit un fonctionnement stable dans des environnements difficiles, notamment dans les secteurs de l’automobile, de l’aérospatiale et des systèmes de contrôle industriels.
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 700 ps permettent un traitement rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
- Économe en énergie : le fonctionnement à basse tension (2,3 V - 2,7 V) réduit la consommation d'énergie tout en maintenant les normes de performance.
- Conforme à la directive RoHS : Conception respectueuse de l'environnement conforme aux normes réglementaires internationales relatives aux substances dangereuses.
- Qualité ISSI éprouvée : Fabriqué par Integrated Silicon Solution Inc., un leader reconnu dans le domaine des solutions de semi-conducteurs pour mémoire, fort de plusieurs décennies d’excellence en ingénierie.
Applications idéales
- Systèmes embarqués et conceptions à base de microcontrôleurs
- Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
- équipements d'automatisation industrielle et de contrôle des processus
- Dispositifs médicaux nécessitant un support à long terme
- Infrastructure de télécommunications
- Systèmes aérospatiaux et de défense
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 8M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 700 ch |
| Tension - Alimentation | 2,3 V ~ 2,7 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 66-TSOP II |
| RoHS |

IS43R16800E-6TLI.pdf