IS43R32400E-5BLI-TR

IS43R32400E-5BLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance

La mémoire IS43R32400E-5BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une solution de mémoire DDR SDRAM 128 Mbit haute fiabilité, conçue pour les applications exigeantes des secteurs industriel, automobile, des télécommunications et embarqué. Cette DRAM à interface parallèle dispose d'une architecture 4M x 32 et d'une fréquence d'horloge de 200 MHz, garantissant des temps d'accès rapides et des performances fiables sur une large plage de températures.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 200 MHz, temps d’accès de 700 ps et cycle d’écriture de 15 ns
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TA)
• Encombrement réduit : le boîtier CMS 144-LFBGA (12 x 12 mm) permet de gagner de la place sur la carte.
• Large plage de tension : tension d’alimentation de 2,3 V à 2,7 V pour une intégration système flexible
• Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb
• Assistance tout au long du cycle de vie : l’engagement d’ISSI en faveur d’une disponibilité prolongée des produits

Applications typiques

Idéal pour les équipements de réseau, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, les systèmes d'infodivertissement automobiles, les infrastructures de télécommunications et les plateformes informatiques embarquées nécessitant une mémoire volatile fiable et rapide avec un fonctionnement à température étendue.

Spécifications techniques complètes

Toutes les spécifications sont sujettes à la fiche technique du fabricant. Contactez-nous pour connaître les tarifs dégressifs, les délais de livraison et obtenir une assistance technique.

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