IS61LV256AL-10JLI

IS61LV256AL-10JLI - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute vitesse 256 kbits

La mémoire IS61LV256AL-10JLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire vive statique asynchrone (SRAM) haute performance de 256 kbits conçue pour les applications embarquées exigeantes nécessitant un accès mémoire rapide et fiable. Cette SRAM CMOS offre une vitesse exceptionnelle avec un temps d'accès de 10 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes de contrôle industriel, les équipements de télécommunications, les périphériques réseau et les systèmes d'acquisition de données.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
• Organisation flexible : l’architecture mémoire 32 Ko x 8 offre une gestion optimale des données à l’échelle de l’octet
• Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 3,3 V (3,135 V à 3,6 V) réduit la consommation d’énergie.
• Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
• Interface asynchrone : une interface parallèle simple élimine la complexité de la synchronisation d’horloge
• Boîtier CMS (composant monté en surface) : boîtier SOJ à 28 broches optimisé pour l’assemblage automatisé
• Haute fiabilité : la technologie CMOS assure la conservation des données et une stabilité à long terme

Applications typiques

Ce circuit intégré de mémoire SRAM polyvalent est parfaitement adapté à :

• Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
• Plateformes informatiques embarquées
• Équipements de télécommunications et de réseau
• Mise en mémoire tampon et cache des données
• Instrumentation médicale
• électronique automobile
• Équipements de test et de mesure

Spécifications techniques

Produits et ressources connexes

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