IS61LV256AL-10JLI-TR

IS61LV256AL-10JLI-TR - Circuit intégré de mémoire SRAM haute performance de 256 kbits

La puce IS61LV256AL-10JLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire SRAM asynchrone haute fiabilité de 256 kbits conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant un stockage de mémoire volatile rapide et fiable. Avec un temps d'accès ultrarapide de 10 ns et une organisation mémoire de 32 Ko x 8, ce circuit intégré SRAM offre des performances exceptionnelles pour les applications critiques en termes de temps.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de performances.
• Organisation optimale de la mémoire : la configuration 32K x 8 offre une architecture de stockage de données flexible
• Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements industriels.
• Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3,135 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
• Boîtier pour montage en surface : boîtier 28-BSOJ (largeur de 7,62 mm) pour les circuits imprimés compacts
• Interface parallèle : interface mémoire parallèle standard pour une intégration facile
• Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Applications techniques

Ce circuit intégré de mémoire SRAM est idéal pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, les équipements de réseau, les appareils de télécommunications, l'électronique automobile, l'instrumentation médicale et les applications de mise en mémoire tampon de données où une mémoire volatile rapide et fiable est essentielle.

Spécifications techniques complètes

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