IS62WV1288FBLL-45TLI

IS62WV1288FBLL-45TLI - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

Le IS62WV1288FBLL-45TLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone de 1 Mbit de qualité supérieure conçu pour les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle, l'électronique automobile et les applications IoT nécessitant un stockage de mémoire volatile rapide et fiable.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 45 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
• Organisation de la mémoire flexible : configuration 128 Ko x 8 optimisée pour les opérations de données à l’échelle de l’octet
• Large plage de tension : la tension d’alimentation de 2,2 V à 3,6 V prend en charge diverses architectures système et les conceptions à faible consommation.
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C dans des conditions environnementales difficiles.
• Interface parallèle : Interface mémoire parallèle standard pour une intégration simple
• Boîtier pour montage en surface : boîtier 32-TSOP I (32-TFSOP) pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.

Applications idéales

Ce circuit intégré SRAM est parfaitement adapté aux contrôleurs embarqués, à l'extension de mémoire FPGA, à la mise en mémoire tampon des données, à la mémoire cache, aux systèmes de contrôle industriels, aux calculateurs automobiles, aux dispositifs médicaux et aux équipements de télécommunications où un accès rapide et non séquentiel à la mémoire est essentiel.

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Spécifications techniques

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