JS28F256M29EWHB TR

Mémoire flash NOR haute fiabilité Micron JS28F256M29EWHB TR - 256 Mbit

Le circuit intégré JS28F256M29EWHB TR de Micron Technology est une mémoire flash NOR parallèle haute performance de 256 Mbits conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce composant offre une fiabilité et une rétention des données exceptionnelles pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil avec des capacités d'accès aléatoire rapide.

Principales caractéristiques et avantages

• Capacité mémoire de 256 Mbits : une organisation flexible de 32 M x 8 ou 16 M x 16 prend en charge diverses architectures système.
• Temps d'accès rapide de 110 ns : permet une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
• Large plage de températures de fonctionnement : -40 °C à 85 °C (TA) garantit des performances fiables dans des environnements difficiles.
• Interface parallèle : simplifie l’intégration avec les systèmes à microcontrôleurs anciens et modernes.
• Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V optimise l’efficacité énergétique.
• Boîtier TSOP-56 à montage en surface : conception compacte à 56 transistors TSOP pour les circuits imprimés haute densité
• Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Spécifications techniques

Applications

Idéal pour le stockage du firmware, du code de démarrage, des données de configuration et de la mémoire de programme dans les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les dispositifs médicaux, les équipements de réseau et les systèmes aérospatiaux nécessitant une intégrité des données garantie et une fiabilité à long terme.

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