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Micron Technology Inc.

JS28F256M29EWLB TR

Prix habituel €2,95
Prix habituel Prix promotionnel €2,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €2,95 EUR €2,95 EUR
15+ €2,71 EUR €40,65 EUR
25+ €2,66 EUR €66,50 EUR
50+ €2,51 EUR €125,50 EUR
100+ €2,21 EUR €221,00 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

Micron JS28F256M29EWLB TR - Circuit intégré de mémoire flash NOR parallèle de 256 Mbit

La mémoire Flash NOR JS28F256M29EWLB TR de Micron Technology Inc. est une solution de mémoire haute fiabilité de 256 Mbits conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette mémoire Flash à interface parallèle offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 110 ns et fonctionne de manière fiable sur une large plage de températures (de -40 °C à 85 °C).

Principales caractéristiques et avantages

  • Stockage haute densité : capacité de 256 Mbit avec organisation flexible (32 M x 8 ou 16 M x 16)
  • Temps d'accès rapide : accès en lecture de 110 ns pour une récupération rapide des données
  • Large plage de tension : fonctionnement de 2,7 V à 3,6 V pour une intégration système polyvalente
  • Fiabilité de niveau industriel : plage de températures étendue (-40 °C à 85 °C) pour les environnements difficiles
  • Interface parallèle : une technologie éprouvée pour les conceptions existantes et nouvelles.
  • Boîtier CMS : 56-TSOP (largeur de 18,40 mm) pour une intégration optimale sur le circuit imprimé
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire Flash NOR est conçu pour les applications exigeantes nécessitant un stockage non volatil avec une fiabilité et une intégrité des données élevées :

  • Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
  • Modules ECU et ADAS automobiles
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • équipement de diagnostic médical
  • Infrastructure de télécommunications
  • Stockage du micrologiciel embarqué
  • Application de masquage de code et de démarrage

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  • Livraison rapide pour l'approvisionnement juste-à-temps
  • Logistique mondiale et inventaire multi-sites
  • Accès aux fiches techniques, aux notes d'application et aux ressources de conception

Produits et ressources connexes

Découvrez notre vaste sélection de solutions de mémoire semi-conductrices, incluant les circuits intégrés DRAM, SRAM, EEPROM et Flash des plus grands fabricants. Consultez notrepage d'accueil pour découvrir notre catalogue complet de composants haute fiabilité pour applications critiques, ou visitez notre blog technique pour accéder aux dernières analyses du secteur, notes d'application et conseils de conception.

Informations sur la commande

Référence : JS28F256M29EWLB TR
Conditionnement : Bande et bobine
Fabricant : Micron Technology Inc.
Disponibilité : En stock - Contactez-nous pour connaître les tarifs dégressifs et les délais de livraison.

Toutes les spécifications peuvent être modifiées sans préavis. Veuillez consulter la fiche technique officielle de Micron pour obtenir des informations techniques complètes et les paramètres de fonctionnement.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Micron Technology Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 32 m x 8, 16 m x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 110 ns
Temps d'accès 110 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 56-TFSOP (0,724", largeur 18,40 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 56-TSOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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