-
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
JS28F512M29EWHB TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €4,95 EUR | €4,95 EUR |
| 15+ | €4,55 EUR | €68,25 EUR |
| 25+ | €4,46 EUR | €111,50 EUR |
| 50+ | €4,21 EUR | €210,50 EUR |
| 100+ | €3,71 EUR | €371,00 EUR |
| N+ | €0,74 EUR | Price Inquiry |
Impossible de charger la disponibilité du service de retrait
Mémoire flash NOR parallèle Micron JS28F512M29EWHB TR - 512 Mbit
Le JS28F512M29EWHB TR de Micron Technology est un circuit intégré de mémoire Flash NOR haute performance de 512 Mbit conçu pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications exigeantes nécessitant un stockage non volatil fiable avec un accès parallèle rapide.
Caractéristiques principales
- Capacité mémoire de 512 Mbits – Organisée en 64 Mbit x 8 ou 32 Mbit x 16 pour une intégration système flexible
- Temps d'accès rapide de 110 ns - Permet des opérations de lecture rapides pour les applications critiques en termes de temps.
- Interface parallèle - Accès direct en mémoire mappée pour une récupération de données à haute vitesse
- Large plage de températures de fonctionnement : de -40 °C à 85 °C (TA) pour une fiabilité de niveau industriel
- Fonctionnement à basse tension - Alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour des conceptions économes en énergie
- Boîtier TSOP-56 à montage en surface - Boîtier TSOP-56 compact (largeur de 18,40 mm) pour circuits imprimés compacts
Applications
Idéal pour les systèmes embarqués, le stockage de firmware, le clonage de code, les applications BIOS, les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les équipements de télécommunications et toute application nécessitant une mémoire non volatile fiable et à accès rapide avec un support à long terme.
Avantages réservés aux distributeurs agréés
Nous fournissons des composants Micron authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et d'une garantie. Tous nos produits proviennent de circuits de distribution agréés, garantissant ainsi leur authenticité et leur disponibilité à long terme pour vos applications critiques.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64 m x 8, 32 m x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 110 ns |
| Temps d'accès | 110 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 56-TFSOP (0,724", largeur 18,40 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 56-TSOP |
| RoHS |  |
JS28F512M29EWHB TR.pdf