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Micron Technology Inc.

JS28F640J3D75B TR

Prix habituel €3,95
Prix habituel Prix promotionnel €3,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €3,95 EUR €3,95 EUR
15+ €3,63 EUR €54,45 EUR
25+ €3,56 EUR €89,00 EUR
50+ €3,36 EUR €168,00 EUR
100+ €2,96 EUR €296,00 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

Mémoire Flash NOR haute fiabilité Micron StrataFlash™ JS28F640J3D75B

Le JS28F640J3D75B est un circuit intégré de mémoire flash NOR parallèle 64 Mbit hautes performances de la gamme StrataFlash™ de Micron Technology. Conçu pour les applications critiques des secteurs industriel, automobile, médical et des télécommunications, ce composant offre un stockage non volatil fiable avec un temps d'accès de 75 ns et une organisation mémoire flexible (8 Mbit x 8 ou 4 Mbit x 16). Fonctionnant sur une large plage de températures (-40 °C à 85 °C) avec une faible tension d'alimentation (2,7 V à 3,6 V), il garantit des performances constantes même dans les environnements les plus exigeants. Conditionné en bande et bobine (TR) avec une configuration de montage en surface TSOP 56, ce circuit intégré conforme à la directive RoHS prend en charge les programmes à long cycle de vie et offre une traçabilité complète pour une intégration en toute confiance.

Spécifications techniques complètes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Micron Technology Inc.
Gamme de produits StrataFlash™
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 8 m x 8 m, 4 m x 16 m
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 75ns
Temps d'accès 75 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 56-TFSOP (0,724", largeur 18,40 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 56-TSOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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