LH5116NA-10

Sharp LH5116NA-10 - Circuit intégré de mémoire SRAM 16 Kbits haute fiabilité

La LH5116NA-10 de Sharp Microelectronics est une mémoire SRAM (mémoire vive statique) haute performance de 16 kbits conçue pour les applications critiques exigeant des temps d'accès rapides et une conservation fiable des données. Avec un temps d'accès de 100 ns et une organisation mémoire de 2K x 8, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels et des télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

• Temps d'accès ultra-rapide de 100 ns : garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques en temps réel.
• Capacité de 16 Kbits (2 K x 8) : densité de mémoire optimale pour les systèmes embarqués et les applications de contrôle
• Large plage de tension de fonctionnement : la plage d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V offre une grande flexibilité dans la conception du système.
• Interface parallèle : simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs et les processeurs
• Boîtier CMS : le format SOIC 24 broches permet des agencements de circuits imprimés compacts.
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C

Applications

Cette mémoire SRAM haute fiabilité est idéale pour :

• Systèmes aérospatiaux et avioniques
• Unités électroniques automobiles et de contrôle moteur
• Automatisation industrielle et contrôle des processus
• Mise en mémoire tampon des données des dispositifs médicaux
• Infrastructure de télécommunications
• Systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile rapide

Spécifications techniques

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