Passer aux informations produits
1 de 1

Micron Technology Inc.

M25P16-VMN6TPBA TR

Prix habituel €0,95
Prix habituel Prix promotionnel €0,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €0,95 EUR €0,95 EUR
15+ €0,87 EUR €13,05 EUR
25+ €0,86 EUR €21,50 EUR
50+ €0,81 EUR €40,50 EUR
100+ €0,71 EUR €71,00 EUR
N+ €0,14 EUR Price Inquiry
Frais d'expédition calculés à l'étape de paiement.
Quantité
Recycling Electronic Components

M25P16-VMN6TPBA TR - Circuit intégré de mémoire flash NOR SPI 16 Mbit

Le M25P16-VMN6TPBA TR est un circuit intégré de mémoire Flash SPI NOR haute performance de 16 Mbits fabriqué par Micron Technology Inc. Ce dispositif de mémoire flash non volatile dispose d'une organisation de mémoire 2M x 8 et fonctionne à des fréquences d'horloge allant jusqu'à 75 MHz, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués, les applications industrielles et les solutions de stockage de données nécessitant un accès fiable et rapide aux données stockées.

Conçue pour offrir polyvalence et fiabilité, cette puce de mémoire flash fonctionne dans une large plage de tensions (2,7 V à 3,6 V) et sur une plage de températures étendue (-40 °C à 85 °C), garantissant des performances constantes dans les environnements industriels et automobiles exigeants. Son boîtier SOIC 8 broches (3,90 mm de largeur, soit 3,9 mm d'épaisseur) permet un montage en surface et offre un encombrement réduit, idéal pour les applications à espace restreint.

Avec des temps de cycle d'écriture de 15 ms pour les mots et de 5 ms pour les pages, la mémoire M25P16-VMN6TPBA TR offre des capacités de programmation de données performantes. L'interface SPI (Serial Peripheral Interface) fournit une interface simple et standard qui minimise le nombre de broches tout en maintenant un transfert de données à haut débit. Cette solution mémoire est conforme à la directive RoHS et répond aux normes environnementales en vigueur pour la fabrication de produits électroniques modernes.

Disponible en conditionnement pratique sur bande et bobine, cette puce de mémoire flash est optimisée pour les processus d'assemblage automatisés, réduisant ainsi les temps de manipulation et améliorant l'efficacité de la production. Que vous conceviez des contrôleurs embarqués, des systèmes de stockage de firmware ou des applications d'enregistrement de données, la M25P16-VMN6TPBA TR offre la fiabilité et les performances requises par votre projet.

Produits et ressources connexes

Explorez notre sélection complète de dispositifs semi-conducteurs de mémoire, y compris des solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM allant de 64 bits à 6 To.

Visitez HQICKEY pour découvrir notre gamme complète de composants semi-conducteurs et de pièces électroniques haut de gamme pour vos applications industrielles et embarquées.

Restez informé des dernières actualités du secteur, des lancements de produits et des articles techniques sur notre blog d'actualités .

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Micron Technology Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 16 Mbits
Organisation de la mémoire 2M x 8
Interface mémoire SPI
Fréquence d'horloge 75 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15 ms, 5 ms
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SO
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

Demande de devis : Veuillez remplir tous les champs obligatoires avec vos coordonnées. Cliquez sur « ENVOYER », nous vous contacterons rapidement par courriel. Ou envoyez-nous un courriel à : sales@hqickey.com .