M25PE80-VMS6TG TR

Présentation du produit

Le M25PE80-VMS6TG TR est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 8 Mbit hautes performances de Micron Technology Inc. Cette solution de mémoire non volatile présente une organisation 1M x 8 avec une fréquence d'horloge rapide de 75 MHz, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués, les applications industrielles, l'électronique automobile et les appareils IoT nécessitant un stockage de données fiable.

Ses principales caractéristiques comprennent une large plage de tension de fonctionnement (2,7 V à 3,6 V), une plage de température étendue (-40 °C à 85 °C) et un boîtier CMS 8-VDFPN. Ce composant offre des temps de cycle d'écriture rapides (15 ms par mot, 3 ms par page) et est conditionné en bande et bobine pour faciliter l'intégration dans les processus d'assemblage automatisés. Conforme à la directive RoHS pour le respect de l'environnement.

Applications

• Stockage du micrologiciel du système embarqué
• Contrôle et automatisation industriels
• Électronique automobile et infodivertissement
• IoT et appareils connectés
• Enregistrement des données des équipements médicaux
• Électronique grand public

Produits et ressources connexes

Explorez notre collection complète de circuits intégrés de mémoire pour découvrir davantage de solutions de mémoire à semi-conducteurs, notamment des composants Flash, DRAM et SRAM pour vos applications embarquées, industrielles et automobiles.

Visitez HQICKEY pour trouver des composants semi-conducteurs authentiques et de haute qualité, bénéficiant d'un support tout au long de leur cycle de vie, d'une distribution mondiale et d'une documentation technique garantissant leur disponibilité à long terme pour vos projets.

Restez informé des dernières tendances du secteur, des spécifications techniques et des annonces de produits sur notre blog Actualités et Ressources .

• M25PE80-VMS6TG TR.pdf