M29F200BB70N6T TR

Micron M29F200BB70N6T TR - Circuit intégré de mémoire flash NOR parallèle de 2 Mbit

Le M29F200BB70N6T TR de Micron Technology est un circuit intégré de mémoire Flash NOR parallèle 2 Mbit hautes performances, conçu pour les systèmes embarqués exigeant un stockage de données fiable et non volatil. Avec un temps d'accès de 70 ns et une double organisation de la mémoire (256 Ko x 8 ou 128 Ko x 16), ce composant offre une flexibilité exceptionnelle pour les applications industrielles, automobiles et IoT.

Principales caractéristiques et avantages

• Temps d'accès rapide de 70 ns : garantit des opérations de lecture rapides pour les applications embarquées critiques en termes de temps.
• Double organisation : configurable en 256 Ko x 8 bits ou 128 Ko x 16 bits pour s’adapter à l’architecture de votre système.
• Large plage de tension de fonctionnement : alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une compatibilité avec les systèmes anciens et modernes.
• Plage de températures industrielles : Fonctionnement prévu de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements difficiles
• Boîtier TSOP-48 à montage en surface : Boîtier compact de 18,40 mm de largeur pour les circuits imprimés haute densité
• Conditionnement en bande et bobine : format prêt pour la production et les processus d'assemblage automatisés

Applications

Cette mémoire Flash NOR est idéale pour le stockage du firmware, le code de démarrage, les données de configuration et l'exécution de programmes sur place (XIP) dans les domaines de l'avionique aérospatiale, des calculateurs automobiles, des contrôleurs industriels, des dispositifs médicaux et des équipements de télécommunications.

Spécifications techniques complètes

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Produits et ressources connexes

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