M29F400BB55N6T TR

M29F400BB55N6T TR - Circuit intégré de mémoire flash NOR 4 Mbit

Le circuit intégré M29F400BB55N6T TR de Micron Technology Inc. est une mémoire Flash NOR 4 Mbit hautes performances conçue pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de données fiable et non volatil. Avec un temps d'accès rapide de 55 ns et une interface parallèle, ce composant est idéal pour les applications industrielles, automobiles et IoT exigeant une disponibilité à long terme et une traçabilité complète.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 55 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
• Organisation flexible de la mémoire : configurable en 512 Ko x 8 ou 256 Ko x 16 pour s’adapter à l’architecture de votre système.
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
• Interface parallèle : accès direct à la mémoire pour une intégration simple dans les conceptions anciennes et modernes.
• Boîtier CMS : boîtier TSOP 48 optimisé pour l’assemblage automatisé et les circuits imprimés à espace restreint
• Large plage de tension : compatibilité avec les tensions d'alimentation de 4,5 V à 5,5 V
• Authentique et traçable : approvisionné directement auprès de circuits de distribution autorisés, avec un engagement couvrant l'intégralité du cycle de vie.

Spécifications techniques

Applications

Cette puce de mémoire Flash NOR est parfaitement adaptée pour :

• Stockage de micrologiciels embarqués dans les contrôleurs industriels et les systèmes d'automatisation
• Stockage des données de code et d'étalonnage des calculateurs automobiles
• Dispositifs IoT nécessitant la conservation du code de démarrage et de la configuration
• Équipements médicaux soumis à des exigences de conformité réglementaire
• Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
• Mises à niveau des systèmes existants et support de production à long terme

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