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M29F800DB70N6F TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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Mémoire flash NOR parallèle Micron M29F800DB70N6F TR - 8 Mbit
Le M29F800DB70N6F TR de Micron Technology est un circuit intégré de mémoire flash NOR parallèle 8 Mbit hautes performances, conçu pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant un stockage non volatil fiable. Avec un temps d'accès de 70 ns et une double organisation de la mémoire (1 Mbit x 8 ou 512 Ko x 16), ce composant offre des performances de lecture rapides et une intégration flexible pour les conceptions à base de microcontrôleurs, le stockage de firmware et les applications d'exécution de code.
Principales caractéristiques et avantages
- Temps d'accès rapide : un accès de 70 ns permet une exécution de code et une récupération de données rapides.
- Organisation flexible : configurable en 1 Mo x 8 ou 512 Ko x 16 pour s’adapter à l’architecture de votre système.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
- Interface parallèle : l’accès direct à la mémoire mappée simplifie l’intégration avec les systèmes existants et embarqués.
- Conditionnement prêt pour la production : Format bande et bobine pour l'assemblage automatisé et la fabrication en grande série
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale
Applications idéales
Cette mémoire flash NOR est parfaitement adaptée au stockage de firmware embarqué, au code BIOS/bootloader, à la conservation des données de configuration, aux systèmes de contrôle industriels, à l'électronique automobile et aux mises à niveau de systèmes existants nécessitant des interfaces de mémoire parallèles.
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Spécifications techniques complètes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 8 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 1M x 8, 512K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
| Temps d'accès | 70 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFSOP (0,724", largeur 18,40 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-TSOP |
| RoHS |  |
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