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M29F800DT70N1T TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Mémoire flash NOR haute performance Micron M29F800DT70N1T TR
La mémoire flash NOR parallèle M29F800DT70N1T TR de Micron Technology est une solution fiable de 8 Mbits conçue pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de données rapide et non volatile. Avec un temps d'accès de 70 ns et deux options d'organisation de la mémoire (1 Mo x 8 ou 512 Ko x 16), ce composant offre des performances exceptionnelles pour les applications industrielles fonctionnant dans une plage de températures de 0 °C à 70 °C.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès rapide : un temps d’accès de 70 ns garantit une récupération rapide des données.
- Organisation flexible : prend en charge les configurations 1M x 8 et 512K x 16
- Qualité industrielle : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C
- Tension standard : compatibilité avec une tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V
- Montage en surface : boîtier 48-TSOP pour assemblage automatisé
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement
Spécifications techniques
Applications
Idéal pour l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, les équipements de télécommunications, les dispositifs médicaux et les systèmes embarqués nécessitant une mémoire non volatile fiable avec un support à long terme.
Qualité et conformité
Ce composant est conforme à la directive RoHS et fabriqué par Micron Technology Inc., un leader reconnu dans le domaine des solutions de mémoire pour semi-conducteurs. Disponible en conditionnement sur bande et bobine pour la production automatisée en grande série.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 8 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 1M x 8, 512K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
| Temps d'accès | 70 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFSOP (0,724", largeur 18,40 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-TSOP |
| RoHS |  |
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