M29W128GH70ZS6F TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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Mémoire flash NOR haute performance Micron M29W128GH70ZS6F TR - 128 Mbit
La mémoire flash NOR parallèle M29W128GH70ZS6F TR de Micron Technology Inc. est une solution haut de gamme de 128 Mbits, conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Ce composant haute fiabilité offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 70 ns et des options d'organisation mémoire flexibles (16 Mbit x 8 ou 8 Mbit x 16), ce qui la rend idéale pour le stockage de code, l'enregistrement de données et les applications firmware dans les systèmes de contrôle industriels, l'électronique automobile et les équipements de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : une capacité de 128 Mbit offre un espace suffisant pour les exigences complexes en matière de micrologiciels et de stockage de données.
- Performances d'accès rapide : un temps d'accès de 70 ns garantit une exécution de code et une récupération de données rapides.
- Organisation flexible : Prend en charge les configurations 16 m x 8 et 8 m x 16 pour une plus grande polyvalence de conception.
- Large plage de tension : fonctionnement de 2,7 V à 3,6 V, compatible avec les systèmes basse consommation modernes.
- Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
- Boîtier compact : le boîtier CMS 64-FBGA (11 x 13 mm) optimise l’espace sur la carte.
- Interface parallèle : L’interface parallèle standard simplifie l’intégration avec les conceptions existantes
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire flash NOR est parfaitement adaptée pour :
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Électronique automobile et infodivertissement
- Infrastructure de télécommunications
- Dispositifs et instruments médicaux
- Systèmes embarqués nécessitant un stockage de code fiable
- Dispositifs IoT et capteurs intelligents
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 16 m x 8, 8 m x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
| Temps d'accès | 70 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 64-LBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 64-FBGA (11x13) |

M29W128GH70ZS6F TR.pdf