M29W320DB70N3F TR

Mémoire flash NOR parallèle Micron M29W320DB70N3F TR - 32 Mbit

Le circuit intégré M29W320DB70N3F TR de Micron Technology est une mémoire Flash NOR parallèle 32 Mbit hautes performances, conçue pour les systèmes embarqués exigeant un stockage de données fiable et non volatil. Avec un temps d'accès rapide de 70 ns et une large plage de températures de fonctionnement (-40 °C à 125 °C), ce composant est idéal pour les applications industrielles, automobiles et critiques.

Principales caractéristiques et avantages

• Capacité mémoire de 32 Mbits : organisée en 4 Mo x 8 ou 2 Mo x 16 pour une intégration système flexible
• Temps d'accès ultrarapide de 70 ns : garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
• Interface parallèle : simplifie l’intégration avec les architectures de microcontrôleurs anciennes et modernes.
• Plage de tension étendue (2,7 V - 3,6 V) : compatible avec les systèmes 3 V et 3,3 V
• Plage de températures étendue : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 125 °C pour les environnements difficiles
• Boîtier CMS 48-TSOP : conception compacte pour les circuits imprimés de petite taille
• Conditionnement en bande et bobine : Prêt pour l'assemblage automatisé et la production en grande série
• Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales et réglementaires

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire Flash NOR est parfaitement adaptée pour :

• Stockage du firmware embarqué et code de démarrage
• Systèmes de contrôle industriel et automates programmables
• Électronique automobile (calculateurs, systèmes d'infodivertissement)
• Dispositifs médicaux nécessitant l'enregistrement de données
• Équipement de télécommunications
• Dispositifs IoT et capteurs intelligents

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