M29W400DB55N6F TR

M29W400DB55N6F TR - Mémoire Flash NOR haute performance de 4 Mbit

La mémoire M29W400DB55N6F TR de Micron Technology est un dispositif de mémoire Flash NOR 4 Mbit haute fiabilité conçu pour les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle et les applications critiques nécessitant un stockage de données non volatiles avec des temps d'accès rapides.

Principales caractéristiques et avantages

• Temps d'accès rapide de 55 ns : offre des performances de lecture rapides pour les applications embarquées sensibles au temps.
• Organisation flexible de la mémoire : configurable en 512 Ko x 8 ou 256 Ko x 16 pour s’adapter à l’architecture de votre système.
• Large plage de tension de fonctionnement : la plage d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V assure la compatibilité avec divers systèmes d’alimentation.
• Plage de températures industrielles : Conçu pour fonctionner de -40 °C à 85 °C dans des environnements difficiles
• Interface parallèle : L’architecture de bus parallèle standard simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs anciens et modernes.
• Boîtier CMS : format 48-TSOP optimisé pour l’assemblage automatisé et les conceptions à espace restreint
• Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Applications idéales

Cette mémoire Flash NOR est parfaitement adaptée au stockage du firmware, du code de démarrage, des données de configuration et à l'exécution de programmes dans les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, les systèmes aérospatiaux et les équipements de télécommunications où la fiabilité et la conservation des données sont primordiales.

Spécifications techniques

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