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Micron Technology Inc.

M29W400DB55ZE6F TR

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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €0,95 EUR €0,95 EUR
15+ €0,87 EUR €13,05 EUR
25+ €0,86 EUR €21,50 EUR
50+ €0,81 EUR €40,50 EUR
100+ €0,71 EUR €71,00 EUR
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Recycling Electronic Components

Mémoire Flash NOR haute performance Micron M29W400DB55ZE6F TR - 4 Mbit

La mémoire Flash NOR M29W400DB55ZE6F TR de Micron Technology Inc. est une solution haut de gamme de 4 Mbits conçue pour les systèmes embarqués exigeant un stockage non volatil fiable et rapide. Grâce à un temps d'accès ultrarapide de 55 ns et à une interface parallèle flexible, ce composant offre des performances exceptionnelles pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité mémoire de 4 Mbit : une double organisation (512 Ko x 8 ou 256 Ko x 16) offre une architecture de stockage de données flexible.
  • Temps d'accès ultra-rapide de 55 ns : garantit une récupération rapide des données pour les applications embarquées critiques en termes de temps.
  • Large plage de tension de fonctionnement : compatibilité de 2,7 V à 3,6 V permettant de prendre en charge diverses configurations d’alimentation.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
  • Interface parallèle : simplifie l’intégration avec les architectures de microcontrôleurs anciennes et modernes.
  • Boîtier TFBGA 48 broches à montage en surface : son format compact de 6 × 9 mm optimise l’espace sur le circuit imprimé.

Spécifications techniques

Applications et cas d'utilisation

Cette mémoire Flash NOR est idéale pour le stockage du firmware, du code de démarrage, des données de configuration et l'exécution de programmes dans les systèmes embarqués. Elle est couramment utilisée dans les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les équipements réseau, les dispositifs médicaux et les objets connectés nécessitant un stockage de code fiable et une capacité d'exécution sur place (XIP).

Garantie de qualité et d'authenticité

HQICKEY s'approvisionne directement auprès de distributeurs et fabricants agréés pour tous ses composants, garantissant ainsi des semi-conducteurs 100 % authentiques, une traçabilité complète et la prise en charge de la garantie constructeur. Chaque unité M29W400DB55ZE6F TR fait l'objet d'un contrôle qualité rigoureux avant expédition.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Micron Technology Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 512K x 8, 256K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 55 ns
Temps d'accès 55 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-TFBGA (6x9)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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