M29W400FB5AN6F TR

Mémoire Flash NOR haute performance Micron M29W400FB5AN6F TR - 4 Mbit

La mémoire Flash NOR parallèle M29W400FB5AN6F TR de Micron Technology est une solution haut de gamme de 4 Mbits conçue pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes. Ce composant mémoire haute fiabilité offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 55 ns et fonctionne sur une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C, ce qui le rend idéal pour les systèmes critiques.

Principales caractéristiques et avantages

• Organisation flexible de la mémoire : configurable en 512 Ko x 8 ou 256 Ko x 16 pour s’adapter à l’architecture de votre système.
• Performances d'accès rapide : un temps d'accès de 55 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
• Large plage de tension de fonctionnement : la tension d'alimentation de 2,7 V à 3,6 V assure la compatibilité avec diverses conceptions de systèmes.
• Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
• Boîtier à montage en surface : boîtier 48-TSOP I (TFSOP) optimisé pour l’assemblage automatisé et les conceptions à espace restreint
• Approvisionnement authentique : L'emballage scellé en usine sur bande et bobine garantit la qualité authentique Micron

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire Flash NOR est parfaitement adaptée pour :

• systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
• Électronique automobile et contrôleurs embarqués
• Dispositifs IoT nécessitant un stockage de code fiable
• Applications de stockage de firmware et de code de démarrage
• Enregistrement des données et stockage de la configuration
• Dispositifs médicaux et d'instrumentation

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