M29W640FB70N6F TR

Mémoire flash NOR parallèle Micron M29W640FB70N6F TR - 64 Mbit

Le circuit intégré M29W640FB70N6F TR de Micron Technology est une mémoire Flash NOR 64 Mbit hautes performances conçue pour les applications critiques exigeant un stockage de données fiable et non volatil. Grâce à son temps d'accès rapide de 70 ns et son interface parallèle, ce composant est idéal pour les systèmes aérospatiaux, automobiles, industriels, médicaux et de télécommunications.

Caractéristiques principales

• Capacité mémoire de 64 Mbits : organisation flexible (8 M x 8 ou 4 M x 16) pour une intégration système polyvalente
• Temps d'accès ultrarapide de 70 ns : garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
• Interface parallèle : intégration simple avec les systèmes embarqués anciens et modernes
• Large plage de tension de fonctionnement : alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour une conception d’alimentation flexible.
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C
• Boîtier TSOP-48 pour montage en surface : conception compacte de 18,40 mm de largeur.
• Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales et réglementaires

Applications

Cette mémoire Flash NOR est conçue pour les environnements exigeants où l'intégrité des données et la disponibilité à long terme sont essentielles, notamment pour le stockage du firmware, le code de démarrage, les données de configuration et les applications de systèmes embarqués dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications.

Spécifications techniques complètes

• M29W640FB70N6F TR.pdf