M29W640FB70ZA6F TR

Mémoire Flash NOR parallèle Micron M29W640FB70ZA6F TR - 64 Mbit

Le M29W640FB70ZA6F TR de Micron Technology est un circuit intégré de mémoire flash NOR parallèle 64 Mbits hautes performances, conçu pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant un stockage non volatil fiable. Avec un temps d'accès de 70 ns et une organisation mémoire flexible (8 Mbits x 8 ou 4 Mbits x 16), ce composant offre des performances de lecture rapides et une grande polyvalence d'intégration pour les conceptions à base de microcontrôleurs.

Principales caractéristiques et avantages

• Capacité de stockage de 64 Mbit : mémoire non volatile suffisante pour le stockage du firmware, des données de configuration et du code.
• Temps d'accès rapide de 70 ns : permet des séquences de démarrage rapides et une récupération de données en temps réel.
• Organisation de la mémoire double : prend en charge les configurations 8 Mo x 8 et 4 Mo x 16 pour une plus grande flexibilité de conception
• Large plage de tension de fonctionnement : la plage d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V permet de s’adapter à diverses architectures système.
• Plage de températures industrielles : Conçu pour un fonctionnement de -40 °C à 85 °C dans des environnements exigeants
• Boîtier compact 48-TFBGA : encombrement réduit de 6 x 8 mm, idéal pour les circuits imprimés à espacement limité.
• Conditionnement en bande et bobine : format prêt pour la production et les processus d'assemblage automatisés

Applications typiques

Cette mémoire flash NOR est idéale pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les équipements de télécommunications, les dispositifs médicaux et toute application nécessitant un stockage de code fiable et des performances d'accès aléatoire rapides.

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Spécifications techniques complètes

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