M29W640GH70ZF6F TR

Mémoire flash NOR parallèle Micron M29W640GH70ZF6F TR - 64 Mbit

La mémoire Flash NOR M29W640GH70ZF6F TR de Micron Technology est un circuit intégré haute performance de 64 Mbits, conçu pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant un stockage non volatil fiable. Cette mémoire Flash à interface parallèle offre un temps d'accès rapide de 70 ns et fonctionne sur une large plage de températures, ce qui la rend idéale pour les applications critiques dans les secteurs de l'automobile, du contrôle industriel, des télécommunications et de l'informatique embarquée.

Principales caractéristiques et avantages

• Capacité mémoire de 64 Mbits : organisée en 8 M x 8 ou 4 M x 16 pour une intégration système flexible.
• Temps d'accès rapide de 70 ns : permet une exécution de code et une récupération de données rapides pour les applications sensibles au temps.
• Interface parallèle : assure un transfert de données à haut débit et une intégration aisée avec les microcontrôleurs et les processeurs.
• Large plage de tension : la tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V prend en charge diverses architectures d’alimentation.
• Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
• Boîtier CMS 64 TBGA : Son format compact de 10 x 13 mm optimise l’espace sur la carte.
• Conditionnement en bande et bobine : prêt pour les processus d’assemblage automatisés

Applications

Cette mémoire Flash NOR est parfaitement adaptée au stockage du firmware, du code de démarrage, des données de configuration et à l'exécution de programmes dans les systèmes embarqués. Elle est couramment utilisée dans les calculateurs automobiles, les automates programmables industriels, les équipements réseau, les dispositifs médicaux et les passerelles IoT, où la conservation des données à long terme et un accès aléatoire rapide sont essentiels.

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Spécifications techniques

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