M29W640GL70NB6F TR

Micron M29W640GL70NB6F TR - Circuit intégré de mémoire flash NOR parallèle de 64 Mbit

La mémoire flash NOR parallèle M29W640GL70NB6F TR de Micron Technology est un circuit intégré haute performance de 64 Mbits, conçu pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant un stockage non volatil fiable. Ce composant offre un temps d'accès de 70 ns et fonctionne sur une large plage de températures, ce qui le rend idéal pour les environnements difficiles.

Principales caractéristiques et avantages

• Capacité mémoire de 64 Mbits : organisée en 8 M x 8 ou 4 M x 16 pour une intégration flexible
• Temps d'accès ultra-rapide de 70 ns : garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
• Large plage de tension : fonctionnement de 2,7 V à 3,6 V pour une compatibilité avec une grande variété d’alimentations.
• Classe de température industrielle : -40 °C à 85 °C (TA) pour des conditions de fonctionnement difficiles.
• Interface parallèle : Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
• Boîtier CMS 56-TSOP : conception compacte pour les circuits imprimés de petite taille
• Conditionnement en bande et bobine : prêt pour les processus d’assemblage automatisés

Applications

Cette mémoire flash NOR est parfaitement adaptée au stockage de firmware embarqué, au code BIOS/de démarrage, à la conservation des données de configuration, aux systèmes de contrôle industriels, à l'électronique automobile, aux équipements de télécommunications et aux dispositifs médicaux nécessitant une persistance des données à long terme.

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Spécifications techniques

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