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M29W800DB45ZE6F TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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Circuit intégré de mémoire flash NOR 8 Mbit Micron M29W800DB45ZE6F TR
La mémoire Flash NOR M29W800DB45ZE6F TR de Micron Technology est une solution haute performance de 8 Mbit conçue pour les systèmes embarqués exigeant un stockage non volatil fiable. Cette mémoire Flash à interface parallèle offre un temps d'accès rapide de 45 ns et fonctionne sur une large plage de températures, ce qui la rend idéale pour les applications industrielles, automobiles et critiques.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité de mémoire de 8 Mbit : organisation flexible (1 Mo x 8 ou 512 Ko x 16) pour répondre aux besoins de votre application
- Temps d'accès rapide : une performance de 45 ns garantit une récupération rapide des données pour les opérations urgentes.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
- Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
- Boîtier CMS : Son format compact 48-TFBGA (6x8) optimise l'espace sur la carte.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Applications
Cette mémoire Flash NOR est parfaitement adaptée au stockage de microprogrammes, de code de démarrage, de données de configuration et aux applications de systèmes embarqués où un accès rapide et fiable à la mémoire non volatile est essentiel. Elle est couramment utilisée dans les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les équipements de télécommunications et l'électronique grand public.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 8 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 1M x 8, 512K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 45 ns |
| Temps d'accès | 45 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-TFBGA (6x8) |
| RoHS |  |
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