M29W800DB70N6F TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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M29W800DB70N6F TR - Mémoire Flash NOR haute performance de 8 Mbit
La mémoire flash NOR parallèle M29W800DB70N6F TR de Micron Technology est une solution haut de gamme de 8 Mbits, conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Avec un temps d'accès de 70 ns et une organisation mémoire flexible (1 Mo x 8 ou 512 Ko x 16), ce composant offre un stockage non volatil fiable pour les systèmes critiques.
Principales caractéristiques et avantages
- Temps d'accès rapide : une performance de 70 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
- Organisation flexible : configurable en 1 Mo x 8 ou 512 Ko x 16 pour s’adapter à l’architecture de votre système.
- Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C en milieu industriel.
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour des conceptions économes en énergie
- Boîtier CMS : Boîtier 48-TSOP I optimisé pour l’assemblage automatisé
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
Applications idéales
Idéal pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les équipements de télécommunications et toute application nécessitant une capacité de stockage et d'exécution de code sur place (XIP) fiable.
Spécifications techniques
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Chez HQICKEY, nous sommes spécialisés dans l'approvisionnement authentique et le support tout au long du cycle de vie des semi-conducteurs haut de gamme. Chaque composant est vérifié et bénéficie de notre engagement envers l'excellence technique et la réussite de nos clients.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 8 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 1M x 8, 512K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
| Temps d'accès | 70 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFSOP (0,724", largeur 18,40 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-TSOP I |
| RoHS |

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