M29W800DB70ZE6F TR

Circuit intégré de mémoire flash NOR Micron M29W800DB70ZE6F TR - 8 Mbit

La mémoire Flash NOR M29W800DB70ZE6F TR de Micron Technology est un dispositif haute performance de 8 Mbit conçu pour les applications embarquées et industrielles exigeant un stockage non volatil fiable. Ce circuit intégré à montage en surface (CMS) dispose d'une interface parallèle avec un temps d'accès de 70 ns, ce qui le rend idéal pour le stockage de code, l'enregistrement de données et les applications de micrologiciel dans des environnements exigeants.

Principales caractéristiques et avantages

• Capacité mémoire de 8 Mbits : organisée en 1 Mo x 8 ou 512 Ko x 16 pour une intégration système flexible
• Temps d'accès rapide de 70 ns : garantit des opérations de lecture rapides pour les applications critiques en temps réel.
• Large plage de tension : fonctionne de 2,7 V à 3,6 V pour une compatibilité avec divers systèmes.
• Plage de températures industrielles : Conçu pour fonctionner de -40 °C à 85 °C dans des environnements difficiles
• Boîtier compact 48-TFBGA : encombrement réduit de 6 x 8 mm pour les conceptions haute densité
• Interface parallèle : Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
• Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales des marchés mondiaux

Applications

Cette mémoire Flash NOR est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués, aux contrôleurs industriels, à l'électronique automobile, aux équipements de télécommunications, aux dispositifs médicaux et à toute application exigeant une exécution de code fiable et la conservation des données. Son interface parallèle et son temps d'accès rapide en font un excellent choix pour le stockage du code de démarrage et l'enregistrement de données en temps réel.

Spécifications techniques

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