M29W800FB70ZA3SF TR

Mémoire flash NOR haute performance Micron M29W800FB70ZA3SF TR

La mémoire flash NOR parallèle M29W800FB70ZA3SF TR de Micron Technology est une solution haut de gamme de 8 Mbits conçue pour les applications embarquées, industrielles et automobiles exigeantes. Ce composant mémoire haute fiabilité offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 70 ns et fonctionne de manière fiable sur une large plage de températures, de -40 °C à 125 °C.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances d'accès rapide : un temps d'accès de 70 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
• Organisation flexible de la mémoire : configurable en 1 Mo x 8 ou 512 Ko x 16 pour s’adapter à l’architecture de votre système.
• Large plage de tension de fonctionnement : la plage de tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V offre une grande flexibilité de conception.
• Fiabilité de qualité industrielle : plage de températures étendue (-40 °C à 125 °C) pour les environnements difficiles
• Conditionnement compact : le boîtier CMS 48-TFBGA (6 x 8 mm) optimise l’espace sur la carte.
• Prêt pour la production : Conditionnement en bande et bobine pour les processus d’assemblage automatisés

Applications idéales

Cette mémoire flash NOR est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués exigeant un stockage et une exécution de code fiables, notamment les calculateurs automobiles, les automates industriels, les objets connectés, les équipements médicaux et les infrastructures de télécommunications. Son interface parallèle garantit la compatibilité avec les systèmes existants tout en offrant les performances requises par les applications modernes.

Spécifications techniques

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