M29W800FB7AN6F TR

Mémoire Flash NOR haute performance Micron M29W800FB7AN6F TR - 8 Mbit

La M29W800FB7AN6F TR de Micron Technology Inc. est une solution de mémoire flash NOR parallèle de 8 Mbits de qualité supérieure conçue pour les systèmes embarqués, les applications industrielles, l'électronique automobile et les appareils IoT nécessitant un stockage non volatil fiable.

Principales caractéristiques et avantages

• Capacité de mémoire de 8 Mbit : Organisation flexible (1 Mo x 8 ou 512 Ko x 16) pour répondre aux exigences de diverses applications
• Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 70 ns garantit une récupération rapide des données pour les opérations critiques.
• Large plage de tension de fonctionnement : la plage de tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V assure la compatibilité avec diverses architectures système.
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TA), idéal pour les environnements difficiles.
• Interface parallèle : L’interface parallèle standard simplifie l’intégration avec les systèmes à microcontrôleurs anciens et modernes.
• Boîtier CMS : boîtier 48-TSOP I (48-TFSOP) optimisé pour l’assemblage automatisé et les conceptions à espace restreint
• Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb

Applications

Cette mémoire flash NOR est idéale pour le stockage du firmware, du code de démarrage, des données de configuration et du stockage de programmes dans les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et l'électronique grand public.

Spécifications techniques

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Ressources connexes

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