M36L0R7060U3ZSF TR

Micron M36L0R7060U3ZSF TR - Circuit intégré de mémoire Flash RAM haute fiabilité de 192 Mbit

Le circuit intégré de mémoire Flash RAM M36L0R7060U3ZSF TR de Micron Technology Inc. est une solution haut de gamme de 192 Mbits conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette mémoire haute performance combine les technologies Flash et RAM pour offrir une fiabilité et une intégrité des données exceptionnelles, même dans les environnements les plus exigeants.

Principales caractéristiques et avantages

• Capacité mémoire de 192 Mbit : stockage suffisant pour les systèmes embarqués et les applications gourmandes en données.
• Technologie double : combine les formats de mémoire FLASH et RAM pour une fonctionnalité polyvalente
• Conditionnement en bande et bobine : optimisé pour l'assemblage automatisé et la production en grande série
• Qualité Micron : Bénéficiant de la réputation de fiabilité et d'innovation de Micron Technology
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales

Applications

Ce circuit intégré de mémoire est idéal pour les systèmes de vol aérospatiaux, les calculateurs automobiles, les systèmes de contrôle industriels, les dispositifs médicaux, les infrastructures de télécommunications et les plateformes informatiques embarquées nécessitant un stockage non volatil de haute fiabilité.

Spécifications techniques

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