M39L0R8090U3ZE6F TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Solution de mémoire à boîtier multi-puces Micron M39L0R8090U3ZE6F TR
Le M39L0R8090U3ZE6F TR de Micron Technology est un circuit intégré multipuces (MCP) hautes performances combinant 256 Mbit de mémoire Flash NOR et 512 Mbit de mémoire SDRAM Mobile LPDDR dans un boîtier compact CMS 133-VFBGA. Cette solution de mémoire intégrée offre un stockage fiable, à la fois non volatil et volatil, pour les applications embarquées exigeantes des secteurs automobile, industriel, des télécommunications et médical.
Principales caractéristiques et avantages
- Architecture à double mémoire : mémoire flash NOR de 256 Mbits (16 M x 16) + mémoire SDRAM LPDDR mobile de 512 Mbits (32 M x 16) pour l’exécution du code et la mise en mémoire tampon des données.
- Performances d'accès rapide : un temps d'accès de 70 ns garantit un fonctionnement réactif du système.
- Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V optimisée pour les appareils mobiles et alimentés par batterie
- Plage de températures étendue : -40 °C à +85 °C (TA) pour une fiabilité de niveau industriel
- Conception compacte : le boîtier 133-VFBGA (8 x 8 mm) réduit l'encombrement sur le circuit imprimé.
- Interface parallèle : bus parallèle standard pour une intégration simple
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement
Applications idéales
Cette solution de mémoire est conçue pour les systèmes nécessitant à la fois un stockage de code persistant et une mémoire de travail à haute vitesse, notamment les systèmes d'infodivertissement automobile, les contrôleurs industriels, les équipements de télécommunications, les dispositifs médicaux et les plateformes informatiques embarquées où l'espace, l'efficacité énergétique et la fiabilité sont essentiels.
Spécifications techniques complètes
Pourquoi choisir les solutions de mémoire Micron ?
Micron Technology est un leader mondial des solutions de mémoire et de stockage pour semi-conducteurs, reconnu pour sa fiabilité éprouvée, son support étendu tout au long du cycle de vie et sa documentation technique complète. Cette solution MCP combine les avantages de la mémoire Flash NOR (exécution sur place) avec l'accès rapide aux données de la mémoire SDRAM LPDDR, offrant ainsi un sous-système de mémoire optimisé pour vos systèmes embarqués.
Besoin d'assistance technique ou de tarifs dégressifs ? Contactez notre équipe pour obtenir des fiches techniques, des schémas de référence et des options de configuration personnalisées.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil, volatil |
| Format de mémoire | FLASH, RAM |
| Technologie | FLASH - NOR, SDRAM LPDDR mobile |
| Taille de la mémoire | 256 Mbit, 512 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 16 m x 16, 32 m x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 70 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 133-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 133-VFBGA (8x8) |
| RoHS |
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