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M50FLW040ANB5TG TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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Micron M50FLW040ANB5TG TR - Circuit intégré de mémoire flash NOR parallèle de 4 Mbit
Le M50FLW040ANB5TG TR de Micron Technology est un circuit intégré de mémoire Flash NOR parallèle 4 Mbit hautes performances, conçu pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant un stockage de données non volatiles fiable. Avec une organisation mémoire de 512 Ko x 8 et une fréquence d'horloge de 33 MHz, ce composant offre des temps d'accès rapides et des performances robustes sur une large plage de températures.
Principales caractéristiques et avantages
- Technologie Flash NOR 4 Mbit : mémoire non volatile fiable avec un temps d’accès de 250 ns pour des opérations de lecture rapides.
- Interface parallèle : l’organisation 512 Ko x 8 permet un transfert de données efficace et une intégration système optimale.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -20 °C à 85 °C (TA) pour les environnements difficiles.
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions économes en énergie
- Boîtier CMS : boîtier 32-TSOP (32-TFSOP) optimisé pour l’assemblage automatisé
- Conditionnement en bande et bobine : Conditionnement TR prêt pour la production en grande série
Applications idéales
Ce circuit intégré de mémoire Flash NOR est parfaitement adapté au stockage de firmware embarqué, au code BIOS/de démarrage, à la conservation des données de configuration, aux systèmes de contrôle industriels, à l'électronique automobile, aux équipements de télécommunications et à toute application nécessitant une mémoire non volatile rapide et fiable avec une longue durée de vie.
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Spécifications techniques complètes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 4 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 512K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 33 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 250 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -20°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 32-TFSOP (0,488", largeur 12,40 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 32-TSOP |
| RoHS |  |
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