M58BW16FB5T3T TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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Micron M58BW16FB5T3T TR - Circuit intégré de mémoire flash NOR parallèle de 16 Mbit
Le circuit intégré M58BW16FB5T3T TR de Micron Technology est une mémoire Flash NOR parallèle haute performance de 16 Mbits conçue pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil fiable. Avec un temps d'accès de 55 ns et une organisation mémoire de 512 Ko x 32, ce composant offre des performances de lecture rapides pour l'exécution de code et le stockage de données dans les applications industrielles, automobiles et de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Technologie Flash NOR 16 Mbit : Fournit un stockage mémoire non volatile fiable avec capacité d’exécution sur place (XIP) pour l’exécution directe du code.
- Temps d'accès rapide de 55 ns : permet une récupération rapide des données et une exécution rapide du code pour les applications embarquées critiques en termes de temps.
- Interface parallèle : offre une intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs nécessitant un accès direct à la mémoire.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 125 °C (TA), idéal pour les environnements difficiles.
- Alimentation flexible : Compatible avec les tensions de 2,5 V à 3,3 V pour une compatibilité avec les systèmes basse consommation modernes.
- Boîtier CMS 80-PQFP : format compact de 14 x 20 mm optimisé pour les circuits imprimés à espace restreint.
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire Flash NOR est idéal pour les systèmes embarqués exigeant un stockage et une exécution de code fiables, notamment les automates industriels, les calculateurs automobiles, les équipements de télécommunications, les dispositifs médicaux et les plateformes de calcul en périphérie de réseau (Edge Computing). Son interface parallèle et son temps d'accès rapide le rendent particulièrement adapté aux applications nécessitant une exécution directe de code depuis la mémoire Flash.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Ruban adhésif coupé (CT) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 512K x 32 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 55 ns |
| Temps d'accès | 55 ns |
| Tension - Alimentation | 2,5 V ~ 3,3 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 80-BQFP |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 80-PQFP (14x20) |
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