MB85RC04VPNF-G-JNE1
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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RAMXEED MB85RC04VPNF-G-JNE1 - Solution de mémoire FRAM 4 Kbits haute performance
La mémoire MB85RC04VPNF-G-JNE1 de RAMXEED représente une technologie de pointe en matière de mémoire vive ferroélectrique (FRAM), offrant des performances exceptionnelles pour les applications critiques des secteurs industriel, automobile et aérospatial. Ce dispositif FRAM de 4 Kbits combine la vitesse de la SRAM et la non-volatilité de la mémoire Flash, offrant une endurance en écriture quasi illimitée (10^13 cycles) et une consommation d'énergie ultra-faible ; il est idéal pour l'enregistrement de données, le stockage de configurations et la conservation de paramètres en temps réel dans les systèmes embarqués.
Conçu pour une fiabilité optimale dans les environnements les plus difficiles, ce composant mémoire de qualité industrielle fonctionne sur une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C, garantissant des performances constantes même dans des conditions exigeantes. Son interface série I2C (fréquence d'horloge de 1 MHz) simplifie l'intégration et réduit le nombre de broches, ce qui le rend idéal pour les circuits imprimés à espace restreint, notamment pour les objets connectés, les compteurs intelligents, les instruments médicaux et les contrôleurs industriels.
Spécifications techniques complètes
Principales caractéristiques et avantages
- Performances d'écriture ultra-rapides : temps d'accès de 550 ns avec stockage non volatil instantané — aucun délai d'écriture ni batterie de secours requis
- Endurance exceptionnelle : 10 000 milliards (10^13) de cycles d’écriture/effacement, éliminant les problèmes d’usure courants des mémoires Flash et EEPROM.
- Fonctionnement à faible consommation : la consommation minimale de courant en fonctionnement et en veille prolonge l’autonomie de la batterie dans les applications portables et distantes.
- Large plage de tension : la compatibilité avec une alimentation de 3 V à 5,5 V simplifie l’intégration dans les systèmes multi-tensions.
- Plage de températures industrielles : Fiabilité éprouvée de -40 °C à +85 °C pour les applications automobiles, l'automatisation industrielle et les installations extérieures
- Boîtier compact 8-SOP : conception à montage en surface peu encombrante optimisée pour les circuits imprimés haute densité
- Interface I2C : Bus série à deux fils standard, réduisant le nombre de broches et simplifiant la communication entre plusieurs périphériques
- Conservation des données : plus de 10 ans à 85 °C sans alimentation, garantissant l’intégrité à long terme des données de configuration et d’étalonnage
Applications typiques
- Compteurs intelligents et systèmes de gestion de l'énergie
- Automates programmables industriels et équipements de contrôle de processus
- calculateurs automobiles et modules de commande de carrosserie
- Dispositifs de diagnostic et de surveillance médicale
- Dispositifs IoT périphériques et réseaux de capteurs sans fil
- avionique aérospatiale et enregistreurs de données de vol
- Stockage de la configuration pour FPGA et microcontrôleurs
- Sauvegarde de l'horloge temps réel (RTC) et enregistrement des événements
Pourquoi choisir la technologie RAMXEED FRAM ?
Les solutions de mémoire vive ferroélectrique (FRAM) de RAMXEED offrent une fiabilité inégalée pour les applications exigeant des mises à jour fréquentes des données, une protection instantanée contre les coupures de courant et une durée de vie opérationnelle prolongée. Contrairement aux mémoires Flash ou EEPROM traditionnelles, la technologie FRAM élimine les délais d'écriture, réduit la complexité du système en supprimant les batteries de secours et garantit des performances d'écriture déterministes, essentielles pour les systèmes embarqués temps réel.
Ressources et catégories de produits connexes
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- Dispositifs semi-conducteurs de mémoire : EEPROM, Flash, DRAM et SRAM (64 bits à 6 Tbits) - HQICKEY - Découvrez notre gamme complète de circuits intégrés de mémoire, notamment les solutions FRAM, Flash, EEPROM, SRAM et DRAM des principaux fabricants.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | RAMXEED |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Tube | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | CADRE |
| Technologie | FRAM (RAM ferroélectrique) |
| Taille de la mémoire | 4Kbit |
| Organisation de la mémoire | 512 x 8 |
| Interface mémoire | I2C |
| Fréquence d'horloge | 1 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 550 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 5,5V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |

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