MB85RC16VPNF-G-AWERE2

MB85RC16VPNF-G-AWERE2 - Solution de mémoire FRAM haute performance

La mémoire vive ferroélectrique (FRAM) MB85RC16VPNF-G-AWERE2 de RAMXEED est un dispositif de pointe de 16 kbits conçu pour les applications exigeant un stockage de données rapide, fiable et non volatil. Cette puce mémoire de qualité industrielle combine la vitesse de la SRAM avec la non-volatilité de la mémoire Flash, ce qui la rend idéale pour l'enregistrement de données, le stockage de configurations et les systèmes embarqués critiques.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances d'écriture ultra-rapides : contrairement à la mémoire EEPROM ou Flash traditionnelle, la technologie FRAM permet une endurance d'écriture pratiquement illimitée (10¹⁵ cycles) sans délai d'écriture, assurant une capture de données rapide et une réactivité du système.
• Faible consommation d'énergie : fonctionnant entre 3 V et 5,5 V avec un courant actif minimal, cette solution de mémoire prolonge l'autonomie de la batterie dans les applications portables et IoT.
• Plage de températures industrielles : Conçu pour un fonctionnement de -40 °C à 85 °C, garantissant des performances fiables dans les environnements difficiles des secteurs automobile, aérospatial et industriel.
• Interface I2C : L’interface série I2C standard (fréquence d’horloge de 1 MHz) simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs et les processeurs tout en minimisant le nombre de broches.
• Boîtier compact 8-SOP : Le boîtier 8-SOIC à montage en surface (largeur de 3,90 mm) permet d'économiser un espace précieux sur le circuit imprimé dans les conceptions à espace limité.

Spécifications techniques

Applications

Ce dispositif de mémoire FRAM est parfaitement adapté pour :

• Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
• Compteurs intelligents et gestion de l'énergie
• Électronique automobile (ADAS, infodivertissement, calculateur)
• Dispositifs médicaux nécessitant l'intégrité des données
• Systèmes aérospatiaux et de défense
• Dispositifs périphériques IoT et réseaux de capteurs
• stockage des données de configuration et d'étalonnage

Pourquoi choisir la technologie FRAM ?

La mémoire vive ferroélectrique (FRAM) offre des avantages considérables par rapport aux technologies de mémoire traditionnelles. Grâce à sa vitesse d'écriture instantanée, son endurance supérieure et sa résistance intrinsèque aux radiations, la FRAM élimine le besoin d'algorithmes complexes d'équilibrage d'usure et de batteries de secours. Le modèle MB85RC16VPNF-G-AWERE2 offre une fiabilité de niveau professionnel dans un format économique et facile à mettre en œuvre.

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