MB85RC16VPNF-G-JNN1E1

RAMXEED MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 - Circuit intégré de mémoire FRAM 16 Kbits hautes performances

Le MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 de RAMXEED est un circuit intégré de mémoire FRAM (Ferroelectric RAM) 16 kbits haut de gamme, conçu pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeant une mémoire non volatile offrant une endurance exceptionnelle et des vitesses d'écriture rapides. Cette technologie FRAM avancée combine les avantages des performances de la RAM avec la conservation non volatile des données, ce qui la rend idéale pour l'enregistrement de données, le stockage de configurations et les applications critiques.

Principales caractéristiques et avantages

• Technologie FRAM 16 Kbits : la mémoire vive ferroélectrique offre une endurance en écriture quasi illimitée (10^13 cycles) par rapport aux EEPROM traditionnelles.
• Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 550 ns permet des opérations de lecture/écriture rapides sans goulots d'étranglement.
• Interface I2C : Bus I2C standard (horloge à 1 MHz) simplifiant l’intégration dans les conceptions existantes
• Large plage de tension de fonctionnement : la plage d’alimentation de 3 V à 5,5 V offre une grande flexibilité pour diverses architectures système.
• Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
• Boîtier SOIC 8 broches compact : conception de montage en surface peu encombrante (largeur de 3,90 mm) pour les circuits imprimés haute densité
• Faible consommation d'énergie : la technologie FRAM consomme beaucoup moins d'énergie lors des opérations d'écriture que l'EEPROM.
• Conforme à la norme RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales

Applications typiques

• Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
• Électronique automobile et infodivertissement
• Compteurs intelligents et gestion de l'énergie
• Dispositifs médicaux et équipements de diagnostic
• capteurs IoT et dispositifs de calcul en périphérie
• stockage des données de configuration et d'étalonnage
• Enregistrement d'événements et enregistreurs de boîte noire

Spécifications techniques

Pourquoi choisir la technologie FRAM ?

La mémoire vive ferroélectrique (FRAM) représente une avancée significative par rapport aux technologies de mémoire non volatile traditionnelles. Contrairement à l'EEPROM ou à la mémoire Flash, la FRAM offre :

• Endurance supérieure : 10 000 milliards de cycles d’écriture contre 100 000 à 1 million pour une EEPROM
• Vitesse d'écriture plus rapide : écrivez à la vitesse du bus sans délai ni mémoire tampon de page.
• Consommation réduite : aucune pompe de charge haute tension n’est requise pour les opérations d’écriture.
• Écriture instantanée : aucun cycle d’effacement n’est nécessaire, ce qui réduit la complexité du système.
• Durée de conservation des données : plus de 10 ans à 85 °C, plus de 150 ans à température ambiante

Garantie de qualité et d'authenticité

Chez HQICKEY , nous nous approvisionnons directement auprès de distributeurs et fabricants agréés pour tous nos composants, garantissant ainsi des produits RAMXEED 100 % authentiques et une traçabilité complète. Chaque circuit intégré MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 bénéficie de la garantie constructeur et répond aux normes de qualité les plus strictes pour les applications industrielles et commerciales.

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