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MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 - Solution de mémoire FRAM 16 Kbits haut de gamme

La puce mémoire FRAM (Ferroelectric RAM) MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 de 16 kbits est une mémoire haute performance conçue par RAMXEED pour les applications exigeant des vitesses d'écriture rapides, une faible consommation d'énergie et une endurance exceptionnelle. Cette solution de mémoire non volatile combine les avantages des mémoires RAM et ROM, offrant une endurance en écriture quasi illimitée (10 ^¹³ cycles) et une capacité d'écriture instantanée, sans les délais associés aux mémoires EEPROM ou Flash traditionnelles.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances à haute vitesse : interface I2C 1 MHz avec un temps d’accès de 550 ns pour des transactions de données rapides.
• Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 5,5 V, plage de température de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité industrielle
• Endurance supérieure : la technologie FRAM offre 10 billions de cycles d'écriture, surpassant largement les mémoires Flash et EEPROM.
• Faible consommation d'énergie : Idéal pour les systèmes embarqués alimentés par batterie et à faible consommation énergétique
• Montage en surface compact : boîtier SOIC 8 broches (largeur de 3,90 mm) pour les circuits imprimés à espace restreint.
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.

Applications idéales

Cette mémoire FRAM est parfaitement adaptée à l'automatisation industrielle, à l'électronique automobile, aux compteurs intelligents, aux dispositifs médicaux, aux capteurs IoT, aux systèmes d'enregistrement de données et à toute application nécessitant des mises à jour fréquentes des données avec une fiabilité élevée et une conservation des données à long terme.

Spécifications techniques

Produits et ressources connexes

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