MB85RC256LYPN-GS-AMEWE1

MB85RC256LYPN-GS-AMEWE1 - Circuit intégré de mémoire FRAM 256 Kbits haute fiabilité

Le MB85RC256LYPN-GS-AMEWE1 est un circuit intégré de mémoire vive ferroélectrique (FRAM) de 256 Kbits de qualité supérieure, fabriqué par RAMXEED et conçu spécifiquement pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

• Technologie de mémoire non volatile : la FRAM combine la vitesse de la RAM avec la non-volatilité de la mémoire Flash, garantissant la conservation des données sans coupure de courant.
• Endurance supérieure : cycles de lecture/écriture pratiquement illimités (10^14 cycles) par rapport à la mémoire Flash traditionnelle
• Vitesse d'écriture ultra-rapide : opérations d'écriture à haute vitesse sans les délais associés aux mémoires EEPROM ou Flash.
• Faible consommation d'énergie : Idéal pour les systèmes embarqués alimentés par batterie et à faible consommation énergétique
• Haute fiabilité : performances éprouvées dans des environnements difficiles et sur des plages de températures étendues.
• Conditionnement en bande et bobine : Prêt pour l'assemblage automatisé et la production en grande série

Applications

Ce circuit intégré de mémoire FRAM est parfaitement adapté pour :

• Systèmes de commandes de vol et avionique aérospatiales
• Unités de commande des moteurs automobiles (ECU) et systèmes de sécurité
• Automatisation industrielle et contrôle des processus
• Enregistrement des données des dispositifs médicaux et surveillance des patients
• équipement d'infrastructure de télécommunications
• Compteurs intelligents et systèmes de gestion de l'énergie

Spécifications techniques

Pourquoi choisir la mémoire RAMXEED FRAM ?

La technologie FRAM de RAMXEED offre une fiabilité et des performances inégalées pour les systèmes embarqués nécessitant des mises à jour fréquentes des données, un enregistrement instantané des données et une intégrité des données garantie. Contrairement aux solutions de mémoire traditionnelles, la FRAM élimine les délais d'écriture et les problèmes d'usure, ce qui en fait le choix idéal pour les applications critiques et à haute fiabilité.

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