MB85RC256TYPN-G-AWEWE1

RAMXEED MB85RC256TYPN-G-AWEWE1 - Circuit intégré de mémoire FRAM 256 Kbits

Le MB85RC256TYPN-G-AWEWE1 est un circuit intégré de mémoire FRAM (Ferroelectric RAM) haute performance de 256 kbits de RAMXEED, conçu pour les applications exigeant un stockage de données rapide et non volatil, ainsi qu'une endurance exceptionnelle. Cette solution de mémoire à interface I2C offre des performances fiables sur une large plage de températures industrielles.

Principales caractéristiques et avantages

• Technologie FRAM non volatile : combine la vitesse de la RAM avec la non-volatilité de la mémoire Flash, offrant une endurance en écriture pratiquement illimitée (10¹³ cycles).
• Temps d'accès rapide : temps d'accès de 130 ns avec une fréquence d'horloge I2C de 3,4 MHz pour une récupération rapide des données.
• Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 125 °C, idéal pour les applications automobiles, industrielles et aérospatiales.
• Alimentation flexible : la tension de fonctionnement de 1,8 V à 3,6 V s'adapte à différentes configurations de systèmes.
• Boîtier compact pour montage en surface : 8-VDFN (5 x 6 mm) avec pastille exposée pour une gestion thermique efficace
• Qualité RAMXEED authentique : Produit d'origine constructeur avec traçabilité et documentation complètes

Applications idéales

Idéal pour l'enregistrement de données, le stockage de configurations, l'automatisation industrielle, les compteurs intelligents, les systèmes automobiles et toute application nécessitant une mémoire non volatile fiable avec une endurance en écriture élevée.

Spécifications techniques complètes

Assurance qualité : Tous les composants proviennent directement de distributeurs agréés et sont accompagnés de la documentation complète du fabricant et d’une traçabilité intégrale. Conforme à la directive RoHS pour une responsabilité environnementale.

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