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RAMXEED

MB85RC256TYPN-GS-AME1

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Recycling Electronic Components

MB85RC256TYPN-GS-AME1 - Circuit intégré de mémoire FRAM 256 Kbits haute fiabilité

Le MB85RC256TYPN-GS-AME1 est un circuit intégré de mémoire vive ferroélectrique (FRAM) de 256 Kbits de qualité supérieure, fabriqué par RAMXEED et conçu pour les applications critiques nécessitant une fiabilité et une endurance exceptionnelles.

Principales caractéristiques et avantages

  • Technologie de mémoire non volatile : la FRAM combine la vitesse de la SRAM avec la non-volatilité de la mémoire Flash, offrant des vitesses d'écriture instantanées sans risque d'usure.
  • Haute endurance : Prend en charge un nombre pratiquement illimité de cycles de lecture/écriture (10^14 cycles), surpassant largement les mémoires EEPROM et Flash traditionnelles.
  • Consommation d'énergie ultra-faible : idéale pour les applications alimentées par batterie et sensibles à l'énergie.
  • Performances d'écriture rapides : aucune latence d'écriture – les données sont écrites à la vitesse du bus
  • Fiabilité de niveau industriel : Conçu pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du médical et des télécommunications
  • Conservation des données : Maintient l'intégrité des données pendant de longues périodes sans alimentation électrique.

Spécifications techniques

Applications

Le MB85RC256TYPN-GS-AME1 est conçu pour les environnements exigeants où l'intégrité et la fiabilité des données sont primordiales :

  • Aérospatiale et défense : enregistreurs de données de vol, systèmes avioniques, communications par satellite
  • Automobile : systèmes ADAS, infodivertissement, calculateurs de gestion moteur, gestion de la batterie
  • Automatisation industrielle : automates programmables, robotique, compteurs intelligents, enregistrement de données
  • Dispositifs médicaux : surveillance des patients, équipements de diagnostic, dispositifs implantables
  • Télécommunications : Stations de base, équipements réseau, objets connectés

Pourquoi choisir la technologie FRAM ?

Contrairement aux mémoires Flash ou EEPROM traditionnelles, la technologie FRAM offre :

  • Aucune limitation d'endurance en écriture : écrivez aussi souvent que nécessaire sans dégradation.
  • Capacité d'écriture instantanée - aucun cycle d'effacement de page requis
  • Consommation d'énergie réduite lors des opérations d'écriture
  • Fiabilité supérieure dans les environnements difficiles
  • Conception système simplifiée sans tampon d'écriture nécessaire

Qualité et conformité

Le MB85RC256TYPN-GS-AME1 de RAMXEED répond à des normes de qualité rigoureuses, notamment la conformité RoHS et les qualifications de qualité automobile, garantissant des performances fiables dans les applications les plus exigeantes.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant RAMXEED
Gamme de produits MB85RC256T
Conditionnement Tube
Type de mémoire FRAM (RAM ferroélectrique)
Format de mémoire Non volatil
Technologie ferroélectrique
Taille de la mémoire 256 Kbits (32 K x 8)
Organisation de la mémoire 32 768 x 8 bits
Interface mémoire Interface série I2C
Fréquence d'horloge Jusqu'à 1 MHz (mode standard) / 3,4 MHz (mode haute vitesse)
Écrire le temps de cycle - Word, Page Pas de délai d'écriture (vitesse du bus)
Temps d'accès Lecture/écriture rapide à la vitesse d'un bus
Tension - Alimentation 2,7 V à 3,6 V / 4,5 V à 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C à +85°C (qualité industrielle)
Grade Industriel
Qualification Qualification automobile AEC-Q100
Type de montage Montage en surface (CMS)
Emballage / Étui 8-SOP (Petit paquet de contour)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOP

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