MB85RC256TYPN-GS-AWE1

MB85RC256TYPN-GS-AWE1 - Circuit intégré de mémoire FRAM 256 Kbits

Le MB85RC256TYPN-GS-AWE1 est une mémoire FRAM (Ferroelectric RAM) haute performance de 256 kbits de RAMXEED, offrant une conservation non volatile des données et les avantages de vitesse et d'endurance de la technologie RAM. Ce circuit intégré de mémoire à interface I2C est idéal pour les applications aérospatiales, automobiles, de contrôle industriel et de télécommunications exigeant un stockage de données fiable, rapide et écoénergétique.

Principales caractéristiques et avantages

• Technologie FRAM 256 Kbit (32 K x 8) : Stockage non volatil avec une endurance en écriture pratiquement illimitée (10¹⁵ cycles)
• Interface I2C : communication série standard à une fréquence d'horloge maximale de 3,4 MHz.
• Accès ultra-rapide : temps d’accès de 130 ns pour des opérations de lecture/écriture rapides.
• Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 1,8 V à 3,6 V, plage de température de -40 °C à 125 °C
• Faible consommation d'énergie : Idéal pour les applications alimentées par batterie et sensibles à l'énergie
• Boîtier CMS : Boîtier compact 8-VDFN (5 x 6 mm) avec pastille exposée pour des performances thermiques améliorées
• Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales et de sécurité

Applications

Idéal pour l'enregistrement de données, le stockage de configurations, l'enregistrement d'événements, les systèmes de mesure, l'automatisation industrielle, les calculateurs automobiles et les systèmes aérospatiaux critiques où l'intégrité et la durabilité des données sont primordiales.

Authenticité et soutien

Fournis par des distributeurs RAMXEED agréés, ces produits sont accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et d'un support technique à long terme. Chaque unité est livrée dans un emballage standard en plateau, avec les fiches techniques complètes et les notes d'application.

Spécifications techniques

• MB85RC256TYPN-GS-AWE1.pdf