MB85RC256VPF-G-BCE1

MB85RC256VPF-G-BCE1 - Mémoire FRAM haute fiabilité de 256 Kbits

La MB85RC256VPF-G-BCE1 est une solution de mémoire vive ferroélectrique (FRAM) haut de gamme de RAMXEED, conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette mémoire non volatile allie la vitesse de la SRAM à la fiabilité de l'EEPROM, offrant une endurance en écriture quasi illimitée et une rétention des données exceptionnelle.

Principales caractéristiques et avantages

• Capacité de mémoire de 256 Kbits - Organisée en 32 K x 8 pour un stockage de données flexible
• Temps d'accès rapide - Un temps d'accès de 550 ns garantit une récupération rapide des données.
• Interface I2C - Fréquence d'horloge standard de 1 MHz pour une intégration facile
• Large plage de fonctionnement - Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C dans des environnements exigeants
• Alimentation flexible - La tension de fonctionnement de 2,7 V à 5,5 V s'adapte à différentes configurations de systèmes.
• Boîtier CMS (composant monté en surface) - Boîtier SOIC 8 broches compact (largeur de 5,30 mm) pour des circuits imprimés à faible encombrement
• Endurance supérieure – La technologie FRAM offre 10 000 milliards de cycles d’écriture, surpassant largement les EEPROM traditionnelles.
• Écriture instantanée : aucun délai d’écriture ni tampon de page n’est requis, contrairement à la mémoire flash ou à l’EEPROM.

Applications

Cette mémoire FRAM haute fiabilité est idéale pour l'enregistrement de données, le stockage de configurations, l'enregistrement d'événements et la conservation de paramètres dans les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les dispositifs médicaux, les compteurs intelligents et les systèmes aérospatiaux où l'intégrité et la durabilité des données sont primordiales.

Spécifications techniques

Pourquoi choisir la technologie FRAM ?

La mémoire vive ferroélectrique (FRAM) offre des avantages considérables par rapport aux technologies de mémoire traditionnelles. Contrairement à la mémoire flash qui se dégrade après des milliers de cycles d'écriture, la FRAM garantit une endurance exceptionnelle avec un nombre d'écritures quasi illimité. La vitesse d'écriture instantanée élimine le besoin d'algorithmes d'écriture complexes et de tampons de pages, simplifiant ainsi la conception tout en améliorant la fiabilité du système et en réduisant la consommation d'énergie.

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