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RAMXEED

MB85RC256VPF-G-JNERE2

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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
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25+ €2,66 EUR €66,50 EUR
50+ €2,51 EUR €125,50 EUR
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Recycling Electronic Components

MB85RC256VPF-G-JNERE2 - Circuit intégré de mémoire FRAM 256 Kbits haute fiabilité

La MB85RC256VPF-G-JNERE2 est une mémoire FRAM (Ferroelectric RAM) haut de gamme de 256 kbits, conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'automatisation industrielle, des équipements médicaux et des télécommunications. Cette solution de mémoire non volatile combine la vitesse de la SRAM avec la rétention des données de l'EEPROM, offrant des performances exceptionnelles sans les limitations d'endurance en écriture des mémoires flash traditionnelles.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances d'écriture ultra-rapides : un temps d'accès de 550 ns permet un enregistrement rapide des données et des mises à jour système en temps réel.
  • Endurance quasi illimitée : 10 000 milliards (10^13) de cycles de lecture/écriture – idéale pour les applications gourmandes en données
  • Véritable stockage non volatil : conserve les données pendant plus de 10 ans sans alimentation électrique, garantissant ainsi l'intégrité des données critiques.
  • Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 2,7 V à 5,5 V et tolérance aux températures de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
  • Faible consommation d'énergie : La consommation minimale de courant en fonctionnement et en veille prolonge la durée de vie de la batterie dans les systèmes portables
  • Interface I2C standard : fréquence d’horloge de 1 MHz pour une intégration transparente avec les microcontrôleurs et les systèmes embarqués.

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire FRAM est spécialement conçu pour les systèmes embarqués exigeants nécessitant :

  • Enregistrement des données et des événements dans les systèmes de contrôle industriels
  • Stockage de la configuration et conservation des paramètres dans les calculateurs automobiles
  • Mise en mémoire tampon des données patient dans les équipements de diagnostic médical
  • Systèmes d'enregistrement des données de vol et avioniques dans les applications aérospatiales
  • stockage de la configuration réseau dans l'infrastructure de télécommunications
  • Systèmes de comptage intelligent et de gestion de l'énergie

Pourquoi choisir la technologie FRAM ?

Contrairement aux mémoires EEPROM ou Flash classiques, la technologie FRAM offre des opérations d'écriture instantanées, sans délai, ce qui la rend idéale pour les applications nécessitant des mises à jour fréquentes des données. Son mécanisme de stockage ferroélectrique garantit la persistance des données sans batterie de secours, tout en éliminant les problèmes d'usure liés aux technologies de mémoire à base de charges.

Qualité et conformité

Ce composant est conforme aux normes RoHS et fabriqué selon des processus de contrôle qualité rigoureux afin de garantir sa fiabilité dans les applications critiques. Son boîtier CMS 8-SOP facilite l'assemblage automatisé et optimise l'espace sur les circuits imprimés.


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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant RAMXEED
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire CADRE
Technologie FRAM (RAM ferroélectrique)
Taille de la mémoire 256 Kbits
Organisation de la mémoire 32K x 8
Interface mémoire I2C
Fréquence d'horloge 1 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 550 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,209", largeur 5,30 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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